傳感器電路很容易受到外部或內(nèi)部的一些隨機噪聲或干擾信號，如果干擾和噪聲，可與有用信號的大小相比，這樣傳感器電路輸出的有用信號將被淹沒，或者因為有用信號和噪聲成分的量是很難區(qū)分的，它會干擾對有用信號的測量。因此在傳感器電路的設計中，往往是抗干擾設計是傳感器電路設計成功的關鍵。
傳感器電路的內(nèi)噪聲
1低頻噪聲
低頻噪聲主要是由內(nèi)部導電顆粒引起的。特別是碳膜電阻，有許多微小顆粒的炭質材料，顆粒之間是不連續(xù)的，電流是流動的，導電性的變化會使電阻引起的電流變化，電弧閃光爆炸產(chǎn)生了類似的不良接觸。此外，晶體管可能產(chǎn)生類似的突發(fā)噪聲和閃爍噪聲，其機制類似于在電阻中的粒子的不連續(xù)性，并且還涉及到晶體管的摻雜水平。
由2個半導體器件產(chǎn)生的散粒噪聲
由于半導體的結勢壘的變化引起的電荷電壓在該區(qū)域內(nèi)的累積數(shù)的變化，從而揭示了電容效應。當正電壓增加時，在n區(qū)域中的電子和P區(qū)的空穴中的空穴向耗盡區(qū)，這是相當于電容器的電荷移動。當正向電壓降低時，它使電子和空穴遠離耗盡區(qū)，這相當于電容器放電的容量。當反向電壓被施加時，耗盡區(qū)是相反的。當電流通過阻擋層時，這種變化會引起電流流過勢壘區(qū)域的小波動，導致電流噪聲。的噪聲的大小和溫度，帶寬度是正比于F。 |
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